لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : وورد نوع فایل : .doc ( قابل ويرايش و آماده پرينت ) تعداد صفحه : 15 صفحه قسمتی از متن .doc : حکاکی لایه نازک SiO2 معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود. حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد. حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6 و CH3F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si3N4 خوب نیست . حکاکی لایه نازک ...